Samsung annonce le remplacement du Flash
Écrit le 11/09/2006 @ 12:59 par Drizzt
Selon cet article de EETimes, Samsung a annoncé la technologie qui est appelée à remplacer la mémoire Flash, appelée PRAM, pour Perfect Random Access Memory.
La technologie utilise des diodes tri-dimentionnelles, permettant de créer les cellules les plus petites sans bruit inter-cellule. Il est aussi possible d'écrire dans les cellules sans devoir les effacer au préalable, contrairement au Flash. Les produits utilisant la technologie auraient une endurance de 10x suppérieure, et sont moins cher à produire, puisque le procédé de fabrication a 20 étapes de moins que celui de la mémoire Flash.